FDPF7N60NZ, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 76 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБ

Корпус TO220FULLPAK3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1230205

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.44

Максимальный непрерывный ток стока

6.5 A

Package Type

TO-220F

Максимальное рассеяние мощности

33 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.9мм

Высота

16.07мм

Количество элементов на ИС

Brand

ON Semiconductor

Series

UniFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.25 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

13 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Base Product Number

FDPF7 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

33W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3.25A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

6.5 A

Pd - рассеивание мощности

33 W

Qg - заряд затвора

17 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.25 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

70 ns

Время спада

60 ns

Длина

10.36мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

UniFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7.3 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

UniFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 нс

Типичное время задержки при включении

17.5 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.36 x 4.9 x 16.07мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17.5 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

550 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

6,5 А

Maximum Power Dissipation

33 Вт

Width

4.9mm

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 727 КБ

FDPF7N60NZ - характеристики, поставщики

Последняя цена 76 руб.

Техническая документация