BSS123.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162288

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.035

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

150 mA

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

3mm

Brand

Nexperia

Series

TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

BSS123 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

150mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

250mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 120mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

150 mA

Pd - рассеивание мощности

250 mW (1/4 W)

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

3мм

Другие названия товара №

BSS123 T/R

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOS Transistor

Типичное время задержки выключения

12 нс

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

МОП-транзистор логического уровня

Типичная входная емкость при Vds

23 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

150mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

250mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.8V @ 1mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Maximum Power Dissipation

250 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1mm

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet BSS123,215 , pdf , 140 КБ
Datasheet , pdf , 24 КБ

BSS123.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация