BSP318SH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-LogL 60V 2.6A 1.8W 0.09R SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 90 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162240

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.196

Максимальный непрерывный ток стока

2,6 A

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSP318 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.6A (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.6A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2.6 A

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

14 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.6 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

15 ns

Время спада

15 ns

Длина

6.5мм

Другие названия товара №

BSP318S H6327 SP001058838

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

20 нс

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

3+Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

300 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.6A(Tj)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 20uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 359 КБ
Datasheet BSP318SH6327XTSA1 , pdf , 355 КБ
Datasheet BSP318SH6327XTSA1 , pdf , 417 КБ
Datasheet , pdf , 416 КБ

BSP318SH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация