BFU580GX, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторы

РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159074

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.0977

Тип транзистора

Bipolar Wideband

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Минимальная рабочая температура

40 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

24 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

16 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

2 V

Непрерывный коллекторный ток

30 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

NXP Semiconductors

Упаковка / блок

SOT-223-4

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

130

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

11 GHz

Технология

Рабочая частота

900 MHz

Тип

Wideband RF Transistor

Диапазон рабочих температур

40 C to + 150 C

Техническая документация

Datasheet BFU580GX , pdf , 305 КБ
Datasheet BFU580GX , pdf , 294 КБ

BFU580GX - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация