BFP640H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC82AB, АБ

SiGe RF биполярные транзисторы, Infineon
Линейка сверхмалошумящих широкополосных биполярных RF-транзисторов NPN от Infineon. В этих биполярных устройствах с гетеропереходом используется технология Infineon, № 146; кремний-германий-углерод (SiGe: C), и они особенно подходят для использования в мобильных приложениях, в которых низкое энергопотребление является ключевым требованием. С типичными переходными частотами до 65 ГГц эти устройства обеспечивают высокий коэффициент усиления мощности на частотах до 10 ГГц при использовании в усилителях. Транзисторы включают внутреннюю схему для защиты от электростатического разряда и чрезмерной входной мощности РЧ.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159036

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.032

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

13 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Размеры

2 x 1.25 x 0.9мм

Высота

0.9мм

Длина

2мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.25мм

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

4 В

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

1,2 В

Максимальная рабочая частота

40 ГГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-343

Производитель

Infineon

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

110

Техническая документация

Datasheet BFP640H6327XTSA1 , pdf , 1364 КБ

BFP640H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация