ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFP183WH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 450 мВт, 65 мА, SOT-343 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFP183WH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 450 м…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFP183WH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 450 мВт, 65 мА, SOT-343
Последняя цена
70 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
Биполярные РЧ транзисторы, Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFP183WH6327XTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159026
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
450мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
65мА
DC Усиление Тока hFE
70hFE
Частота Перехода ft
8ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.05
Base Product Number
BFP183 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
8.5GHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Power - Max
450mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-SOT343-4
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
SOT-343
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
0.9 x 2 x 1.25мм
Высота
0.9мм
Длина
2мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
450 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Максимальный пост. ток коллектора
65 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
8000 МГц
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-343
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Gain
22dB
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Техническая документация
Datasheet BFP183WH6327XTSA1 , pdf
, 544 КБ