ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BDW42G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BDW42G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BDW42G
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220 Transistor Type Bipolar Darlington Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 100V Current Ic Continuous a Max 15A Voltage, Vce Sat Max 2V Power Dissipation 85W Min Hfe 1000 ft, Typ 4MHz Case Style TO-220 Termination Type Through Hole Current Ic Max 15A Current Ic av 15A Current Ic hFE 5A Device Marking BDW42 No. of Pins 3 Power, Ptot 85W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 100V ft, Min 4MHz
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 85 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 15 А, Коэффициент усиления по току, min 1000
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1158258
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2.888
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
NPN
Length
10.28мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
10.28 x 4.82 x 9.28мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.28 x 4.82 x 9.28мм
Pd - рассеивание мощности
85 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
9.28мм
Длина
10.28мм
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
250, 1000
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
15 A
Максимальный ток отсечки коллектора
1000 uA
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
15 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
BDW42
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.82мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220AB
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Maximum Continuous Collector Current
15 A
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Максимальный непрерывный ток коллектора
15 A
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 110 КБ
Datasheet , pdf
, 87 КБ