ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCM846BSX - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCM846BSX
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCM846BSX
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN/NPN Matched Double Transistor
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157187
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.0055
Base Product Number
BCM846 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
TSSOP-6
Другие названия товара №
934069545115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
450 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
200 mV
Техническая документация
Datasheet BCM846BSX , pdf
, 682 КБ
Datasheet BCM846BSX , pdf
, 248 КБ
Datasheet BCM846BSX , pdf
, 681 КБ
