ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857C-7-F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC857C-7-F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857C-7-F
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: SOT23, АБ
Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157076
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Base Product Number
BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
200MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Length
3мм
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
300 мВт
Height
1.1мм
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Minimum DC Current Gain
420
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
PNP
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Высота
1.1мм
Длина
3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
200 MHz
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0.85 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 383 КБ
Datasheet , pdf
, 355 КБ
