BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• PNP complements are BC859W and BC860W

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC849CW,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157042

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

420hFE

Частота Перехода ft

100мгц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

Base Product Number

BC849 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

nexperia

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Pd - Power Dissipation

200mW

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Конфигурация транзистора

одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

BC849CW T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

420 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 123 КБ
Datasheet , pdf , 326 КБ

BC849CW,115, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация