ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-40LT3G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC817-40LT3G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-40LT3G
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 10000, корпус: SOT23, АБ
NPN Bipolar Transistor
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 250, Коэффициент усиления по току, max 600
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1156954
Технические параметры
Вес, г
0.041
Base Product Number
BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,7 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 МГц
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04мм
Maximum Collector Base Voltage
50 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
300 мВт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
500 mA
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
250
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
300mW
Тип транзистора
NPN
Высота
1.01мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Automotive Standard
AEC-Q101
Transistor Material
Кремний
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 140 КБ
Datasheet , pdf
, 197 КБ
