ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SD882 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
2SD882
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SD882
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 50, корпус: SOT32
Биполярный транзистор - Примечание: TRANSISTOR NPN MED PWR SOT32
Корпус TO-126-3
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073108
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
1.263
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
7.8мм
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
SOT-32
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Maximum DC Collector Current
3 A
Pin Count
3
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
30
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Высота
10.8мм
Длина
7.8мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Тип корпуса
SOT-32
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 107 КБ