ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SD2351T106V - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SD2351T106V
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SD2351T106V
Последняя цена
74 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 150MA
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1073089
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.005
Base Product Number
2SD2351 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
150mA
Current - Collector Cutoff (Max)
300nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
820 @ 1mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.8 mm
Длина
2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
820
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12 V
Непрерывный коллекторный ток
0.15 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
2SD2351
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.25 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
820 at 1 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1267 КБ
Datasheet 2SD2351T106V , pdf
, 1230 КБ
Datasheet 2SD2351T106V , pdf
, 1197 КБ
