ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SAR502U3T106 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SAR502U3T106
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SAR502U3T106
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 В 500 мА 520 МГц 200 мВт UMT3 для поверхностного монтажа
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1072884
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Base Product Number
2SAR502 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
520MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.5 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BM14270MUV-LB
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-323-3
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
500
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
520 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
150 mV
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1464 КБ
