HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF Vishay/IR)
![HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF Vishay/IR)](/file/p_img/1445746.jpg)
Производитель: SEMIHOW, HFP4N60
![HFP640, [TO-220] транзистор (IRF640PBF Vishay/IR) MOSFET 200 В 18 А](/file/p_img/1445745.jpg)
HFP830, транзистор (IRF830PBF Vishay/IR) MOSFET N-канальный 500 В 4,5 А [TO-220]
![HFP830, транзистор (IRF830PBF Vishay/IR) MOSFET N-канальный 500 В 4,5 А [TO-220]](/file/p_img/1445744.jpg)
Производитель: SEMIHOW, HFP830
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо
![HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо](/file/p_img/1445743.jpg)
Производитель: SEMIHOW, HCS80R380R
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z FAIR/ONS= STD5N80K5 ST = IPD80
![HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z FAIR/ONS= STD5N80K5 ST = IPD80](/file/p_img/1445742.jpg)
Производитель: SEMIHOW, HCD80R1K4E
IRL2505SPBF, транзистор Nкан 55В 104А logic D2Pak
Производитель: Infineon Technologies, IRL2505SPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 104 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Корпус | d2pak |
транзисторы полевые импортныеMOSFET, N, 55V, 104A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id C…
КП302БМ(1991-1993)
Производитель: Россия
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Корпус | kt-26 |
IPD90P04P405
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: DPAK, инфо: Полевой транзистор P-канальный -40В -90A 125Вт…
IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]
![IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]](/file/p_img/1444179.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF5210PBF
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/38А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | TO-220AB |
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов In…