Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0285 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	91
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транз…

Сравнить

IRFR5305TRLPBF - это одноканальный P-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET® пятого поколения, использующий передовые технологии обработки для…

Сравнить

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	62
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.011 Ом/37А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	91
Крутизна характеристики, S	120
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включае…

Сравнить

Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.078 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	144
Крутизна характеристики, S	37
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2…

Сравнить

IRFR4615TRLPBF - одноканальный силовой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий повышенную стойкость к затвору, лавинной и динамическо…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.042 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	144
Крутизна характеристики, S	35
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	63
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0139 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	143
Крутизна характеристики, S	62
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)

Сравнить