PMV32UP,215, МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -20 В, 0.032 Ом, -4.5 В, -700 мВ, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 66 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

PMV32UP - это полевой транзистор с P-каналом и улучшенным режимом в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа, использующий технологию Trench MOSFET. Он подходит для использования в драйверах реле, драйверах высокоскоростной линии, переключателях нагрузки высокого напряжения и схемах переключения.

• Номинальное сопротивление 1,8 В сток-исток в открытом состоянии
• Очень быстрое переключение
• Диапазон температур перехода от -55 до 150 ° C

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PMV32UP,215

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1335494

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

510мВт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока

-4А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.032Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

-4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

-700мВ

Вес, г

0.127

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Transistor Material

Length

3мм

Brand

Nexperia

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

15.5 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Base Product Number

PMV32 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

510mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 2.4A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

930 mW

Qg - заряд затвора

15.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

36 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

450 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

21 ns

Время спада

33 ns

Другие названия товара №

934065645215

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

95 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Transistor Configuration

Одиночный

Maximum Gate Threshold Voltage

0.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Power Dissipation

415 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

36 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet PMV32UP,215 , pdf , 955 КБ
Datasheet PMV32UP,215 , pdf , 1547 КБ
Datasheet PMV32UP.215 , pdf , 1374 КБ

PMV32UP,215, МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -20 В, 0.032 Ом, -4.5 В, -700 мВ - характеристики, поставщики

Последняя цена 66 руб.

Техническая документация