ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMV20ENR, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6 А, 0.017 Ом, TO-236AB, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PMV20ENR, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6 А, 0.017 Ом, TO-236…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PMV20ENR, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 6 А, 0.017 Ом, TO-236AB, Surface Mount
Последняя цена
83 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 30V N-channel Trench МОП-транзистор
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PMV20ENR
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1335486
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Рассеиваемая Мощность
510мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.017Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
PMV20 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 6A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
7.6 A
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Qg - заряд затвора
7.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
21 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
17 ns
Время спада
8 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения
9 ns
Типичное время задержки при включении
9 ns
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
TO-236AB-3
Техническая документация
Datasheet PMV20ENR , pdf
, 317 КБ