ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMP4501QASZ, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 100 мА, 350 мВт, 0.95 hFE, DFN1010B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PMP4501QASZ, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 100 мА…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PMP4501QASZ, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 100 мА, 350 мВт, 0.95 hFE, DFN1010B
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PMP4501QASZ
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1335388
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
DFN1010B
Рассеиваемая Мощность
350мВт
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
0.95hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.82
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
5000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
DFN1010B-6
Другие названия товара №
934660012147
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
450
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
400 mV
Техническая документация
Datasheet PMP4501QASZ , pdf
, 219 КБ
Datasheet PMP4501QASZ , pdf
, 216 КБ
