PMGD290XN,115, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 200 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 1 В, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 79 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

PMGD290XN, 115 - это двойной N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом в пластиковом корпусе для поверхностного монтажа с использованием технологии TrenchMOS ™. Он подходит для схем драйверов и коммутации в портативных устройствах. Устройство занимает на 40% меньше места.

• Высокая скорость переключения
• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Низкое пороговое напряжение

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PMGD290XN,115

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1335313

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-363

Рассеиваемая Мощность

410мВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

200ма

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.29Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Максимальный непрерывный ток стока

860 мА

Максимальное рассеяние мощности

410 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

350 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

PMGD290 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

860mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

34pF @ 20V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

410mW

Длина

2.2мм

Типичное время задержки выключения

11 ns

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

0,72 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

34 пФ при 20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Техническая документация

Datasheet PMGD290XN,115 , pdf , 210 КБ
Datasheet PMGD290XN,115 , pdf , 97 КБ

PMGD290XN,115, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 200 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 1 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 79 руб.

Техническая документация