ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMBT3946VPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 40 В, 200 мА, 360 мВт, 100 hFE, SOT-666 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PMBT3946VPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 40 В, 200 м…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PMBT3946VPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 40 В, 200 мА, 360 мВт, 100 hFE, SOT-666
Последняя цена
70 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PMBT3946VPN,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1335025
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-666
Рассеиваемая Мощность
360мВт
Полярность Транзистора
NPN, PNP
DC Ток Коллектора
200ма
DC Усиление Тока hFE
100hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Base Product Number
PMBT3946 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz, 250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Power - Max
240mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-666
Transistor Type
NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Pd - рассеивание мощности
240 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.6 mm
Длина
1.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
180
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
200 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-666-6
Ширина
1.3 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
60 at 0.1 mA at 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Техническая документация
Datasheet PMBT3946VPN,115 , pdf
, 229 КБ
Datasheet PMBT3946VPN,115 , pdf
, 112 КБ