ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMBFJ309,215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PMBFJ309,215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
PMBFJ309,215, Транзистор MOSFET N-CH 25V 30MA 50 Ohm [SOT-23-3]
Последняя цена
14 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный JFET, NXP
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
PMBFJ309,215
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1787472
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
n-канал
Корпус
sot-23
Напряжение пробоя (V(br)gss), В
25
Ток утечки (Idss), мА
12…30
при Vds, В (Vgs=0)
10
Напряжение отсечки (Vgs off), В
1…4
при Id, нА
1000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.25
Рабочая температура (Tj), °C
-65…+150
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом
50(typ)
Техническая документация
datasheet , pdf
, 121 КБ