PIMT1,115, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, 40 В, 100 мА, 300 мВт, 120 hFE, SC-74, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 64 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PIMT1,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1333720

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

40В

Стиль Корпуса Транзистора

SC-74

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

Двойной PNP

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

600 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TSOP-6

Ширина

1.7 mm

Другие названия товара №

934056662115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

120 at 1 mA, 6 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Техническая документация

Datasheet PIMT1.115 , pdf , 177 КБ
Datasheet PIMT1,115 , pdf , 99 КБ

PIMT1,115, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, 40 В, 100 мА, 300 мВт, 120 hFE, SC-74 - характеристики, поставщики

Последняя цена 64 руб.

Техническая документация