PHE13009/DG,127, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А, 80 Вт, TO-220AB, Through Hole, WeEn Semiconductors - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Температура перехода 150°C
• Возможность работы с высокими напряжениями
• Низкое тепловое сопротивление
• Низкие потери проводимости из-за низкого сопротивления в рабочем состоянии

Информация

Производитель

WeEn Semiconductors

Артикул

PHE13009/DG,127

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1332553

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

400В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

80Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

12А

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

1.95

Техническая документация

Datasheet PHE13009/DG,127 , pdf , 60 КБ

PHE13009/DG,127, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А, 80 Вт, TO-220AB, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация