ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PHB66NQ03LT.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PHB66NQ03LT.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
PHB66NQ03LT.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор TAPE13 МОП-транзистор
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PHB66NQ03LT.118
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2200089
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1
Mounting Type
Surface Mount
Ширина
9.4 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
800
Торговая марка
Nexperia
Длина
10.3 mm
Высота
4.5 mm
Id - непрерывный ток утечки
66 A
Pd - рассеивание мощности
93 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-263-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
PHB66NQ03 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
D2PAK
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
10.5 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
66A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 25A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Series
TrenchMOSв„ў ->
Время нарастания
90 ns
Время спада
25 ns
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Другие названия товара №
/T3 PHB66NQ03LT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Техническая документация
Datasheet PHB66NQ03LT,118 , pdf
, 91 КБ