PHB66NQ03LT.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор TAPE13 МОП-транзистор

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PHB66NQ03LT.118

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2200089

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

9.4 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

800

Торговая марка

Nexperia

Длина

10.3 mm

Высота

4.5 mm

Id - непрерывный ток утечки

66 A

Pd - рассеивание мощности

93 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

PHB66NQ03 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

10.5 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

66A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

93W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Series

TrenchMOSв„ў ->

Время нарастания

90 ns

Время спада

25 ns

Типичное время задержки выключения

25 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Другие названия товара №

/T3 PHB66NQ03LT

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Техническая документация

Datasheet PHB66NQ03LT,118 , pdf , 91 КБ

PHB66NQ03LT.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 45А, 93Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация