ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PEMD10,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PEMD10,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PEMD10,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PEMD10,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1331892
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Количество Выводов
6 Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Полярность Транзистора
NPN, PNP
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.006
Линейка Продукции
PEMD10 Series
Корпус РЧ Транзистора
SOT-666
Transistor Configuration
Изолированный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN, PNP
Размеры
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.6мм
Длина
1.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-666-6
Ширина
1.3мм
Другие названия товара №
PEMD10 T/R
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,1 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
6
Тип корпуса
SSMini
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
NPN и PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
2,2 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.047
Типичный коэффициент резистора
0.047
Количество каналов
2 Channel
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 923 КБ