ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTD113ET.215, Транзистор: NPN - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PDTD113ET.215, Транзистор: NPN
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTD113ET.215, Транзистор: NPN
Последняя цена
14 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PDTD113ET.215
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2080459
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.1
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
50 В
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1мм
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
10 В
Minimum DC Current Gain
33
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
33
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
934058975215
Квалификация
AEC-Q101
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Maximum Continuous Collector Current
500 мА
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
33
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 mA
Типичный входной резистор
1 кОм
Пиковый постоянный ток коллектора
500 mA
Типичное входное сопротивление
1 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Typical Resistor Ratio
1
Типичный коэффициент резистора
1
Техническая документация
Datasheet PDTD113ET,215 , pdf
, 124 КБ
Datasheet PDTD113ET.215 , pdf
, 234 КБ
