PDTC123YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 10 кОм, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PDTC123YT,215

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1331055

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3 Вывода

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Полярность Транзистора

NPN

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

4.54

Base Product Number

PDTC123 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Линейка Продукции

PDTC123Y Series

Корпус РЧ Транзистора

sot-23

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

250mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Другие названия товара №

PDTC123YT T/R

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,15 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Резистор На входе Базы R1

2.2кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Соотношение Сопротивления, R1 / R2

0.22соотношение

Резистор База-эмиттер R2

10кОм

Полярность Цифрового Транзистора

Одиночный NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

2,2 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

2.2 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

0.22

Типичный коэффициент резистора

0.22

Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 255 КБ

PDTC123YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 10 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация