ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTC114YU.115, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PDTC114YU.115, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTC114YU.115, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PDTC114YU.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2135654
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.02
Base Product Number
PDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
230MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
200mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
PDTC114YU T/R
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
3
Тип корпуса
UMT
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
10 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.213
Типичный коэффициент резистора
0,21, 1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1531 КБ