ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTC114EU, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PDTC114EU, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTC114EU, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PDTC114EU.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2145048
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Base Product Number
PDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,15 В
Brand
Nexperia
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum DC Collector Current
100mA
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
10 В
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
200mW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
PDTC114EU T/R
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
UMT
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 мА
Typical Input Resistor
10 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Типичный коэффициент резистора
1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1328 КБ
Datasheet , pdf
, 712 КБ
Datasheet PDTC114ET,215 , pdf
, 849 КБ