PDTA114EU,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, -100 мА, 10 кОм, 10 кОм, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

• Уменьшает количество компонентов
• Встроенные резисторы смещения
• Снижает затраты на подбор и установку
• Упрощает конструкцию схемы
• Соответствует требованиям AEC-Q101
• Дополнением NPN является PDTC114EU
• 03 Маркировочный код

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PDTA114EU,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1331002

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3 Вывода

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.06

Base Product Number

PDTA114 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

180MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Линейка Продукции

PDTA114E Series

Корпус РЧ Транзистора

SOT-323

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,15 В

Length

2.2мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

50 В

Maximum DC Collector Current

100mA

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1мм

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

200mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.35мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.15 V

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Резистор На входе Базы R1

10кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

-100мА

Резистор База-эмиттер R2

10кОм

Полярность Цифрового Транзистора

Одиночный PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

10 кΩ

Типичный коэффициент резистора

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 453 КБ
Datasheet , pdf , 860 КБ

PDTA114EU,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, -100 мА, 10 кОм, 10 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация