ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTA113ZT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 1 кОм, 10 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PDTA113ZT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTA113ZT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, -50 В, -100 мА, 1 кОм, 10 кОм
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PDTA113ZT,215
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1330998
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-50В
Transistor Mounting
Surface Mount
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
PDTA113Z Series
Корпус РЧ Транзистора
sot-23
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-150 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
-50 V
Package Type
SOT
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4мм
Height
1мм
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Minimum DC Current Gain
35мм
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Высота
1мм
Конфигурация
Одиночный
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-150 mV
Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Maximum Continuous Collector Current
-100 mA
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
Резистор На входе Базы R1
1кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
-100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R2
0.1соотношение
Резистор База-эмиттер R2
10кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Одиночный PNP
Base-Emitter Resistor
10кОм
Typical Input Resistor
1 kΩ
Типичный входной резистор
1 кΩ
Typical Resistor Ratio
10
Типичный коэффициент резистора
10
Техническая документация
Datasheet PDTA113ZT,215 , pdf
, 232 КБ
