ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS9110Y,115, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А, 290 мВт, TSSOP, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS9110Y,115, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А, 290 мВт, TSSOP,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS9110Y,115, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А, 290 мВт, TSSOP, Surface Mount
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PBSS9110Y,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1329502
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TSSOP
Рассеиваемая Мощность
290мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
1а
DC Усиление Тока hFE
125hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
625 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
150 at 1 mA at 5 V, 150 at 250 mA at 5 V, 150 at 5
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
UMT-3
Ширина
1.35 mm
Другие названия товара №
PBSS9110Y T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
150 at 1 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Техническая документация
Datasheet PBSS9110Y,115 , pdf
, 169 КБ