ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS5240V,115, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1.8 А, 300 мВт, SOT-666, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS5240V,115, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1.8 А, 300 мВт, SOT-6…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS5240V,115, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1.8 А, 300 мВт, SOT-666, Surface Mount
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PBSS5240V,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1329483
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-666
Рассеиваемая Мощность
300мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
1.8А
DC Усиление Тока hFE
50hFE
Частота Перехода ft
150МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
1200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.6 mm
Длина
1.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
300 at 1 mA at 5 V, 300 at 100 mA at 5 V, 250 at 5
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1.8 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SSmini-6
Ширина
1.3 mm
Другие названия товара №
PBSS5240V T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300 at 1 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
150 MHz
Техническая документация
Datasheet PBSS5240V.115 , pdf
, 214 КБ