PBSS4350X,115, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 550 мВт, SOT-89, Surface Mount, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 92 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat
• Высокие токи коллектора IC и ICM
• Повышенный КПД, ведущий к меньшему тепловыделению
• Снижение требований к печатным платам
• Дополнение PNP это PBSS5350X
• Маркировочный код S43

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PBSS4350X,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1329470

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-89

Рассеиваемая Мощность

550мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

3А

DC Усиление Тока hFE

300hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.153

Base Product Number

PBSS4350 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

1.6W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

370mV @ 300mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

1.6W

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.6 x 4.6 x 2.6мм

Высота

1.6мм

Длина

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

2.6мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.37 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Pd - рассеивание мощности:

1600 mW

Вид монтажа:

SMD/SMT

Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора:

3 A

Напряжение коллектор-база (VCBO):

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

5 V

Подкатегория:

Transistors

Полярность транзистора:

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

100 MHz

Производитель:

Nexperia

Размер фабричной упаковки:

1000

Технология:

Тип продукта:

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка:

Nexperia

Упаковка / блок:

SOT-89-3

Тип корпуса

UPAK

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,2 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Высота:

1.6 mm

Длина:

4.6 mm

Другие названия товара №:

934055628115

Квалификация:

AEC-Q101

Минимальная рабочая температура:

- 65 C

Ширина:

2.6 mm

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 128 КБ
Datasheet , pdf , 239 КБ
Datasheet , pdf , 242 КБ

PBSS4350X,115, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 550 мВт, SOT-89, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 92 руб.

Техническая документация