PBSS4120T.215, Транзистор: NPN; биполярный; 20В; 1А; 300мВт; SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PBSS4120T.215

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2088002

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

msl 1-безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

20в

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

300мвт

Полярность Транзистора

NPN

DC Ток Коллектора

1а

DC Усиление Тока hFE

280hfe

Частота Перехода ft

100мгц

Transistor Mounting

surface mount

Вес, г

0.1

Transistor Type

NPN

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Pd - Power Dissipation

480mW

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

300

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Другие названия товара №

934057984215

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

350 at 100 mA, 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

480 mW

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 V

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,1 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

280

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet PBSS4120T.215 , pdf , 183 КБ
Datasheet PBSS4120T,215 , pdf , 245 КБ
Datasheet , pdf , 50 КБ
Datasheet , pdf , 456 КБ

PBSS4120T.215, Транзистор: NPN; биполярный; 20В; 1А; 300мВт; SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация