PBSS3515M,315, Биполярный транзистор, PNP, 15 В, 500 мА, 430 мВт, DFN1006, Surface Mount, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PBSS3515M,315

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1329439

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

15В

Стиль Корпуса Транзистора

DFN1006

Рассеиваемая Мощность

430мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

90hFE

Частота Перехода ft

100мгц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.47 mm

Длина

1.02 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

15 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

15 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

DFN1006-3

Ширина

0.62 mm

Другие названия товара №

934057156315

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

200 at 10 mA, 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

280 MHz

Технология

Техническая документация

Datasheet PBSS3515M.315 , pdf , 201 КБ

PBSS3515M,315, Биполярный транзистор, PNP, 15 В, 500 мА, 430 мВт, DFN1006, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация