PBSS306PX,115, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3.7 А, 600 мВт, SOT-89, Surface Mount
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat • Высокая пропускная способность коллектора по току IC и ICM • Большой коэффициент усиления по току коллектора (hFE) при высоком IC • Высокая эффективность за счет меньшего тепловыделения • Меньшая требуемая площадь печатной платы (PCB), чем у обычных транзисторов • Дополнение NPN - PBSS306NX • Маркировочный код 5N
