PBSS306NZ,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 5.1 А, 700 мВт, SOT-223, Surface Mount
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat • Высокая пропускная способность коллектора по току IC и ICM • Большой коэффициент усиления по току коллектора (hFE) при высоком IC • Высокая эффективность за счет меньшего тепловыделения • Требуемая площадь печатной платы (PCB) меньше, чем у обычных транзисторов • Дополнение PNP - PBSS306PZ • Маркировочный код S306NZ
