PBHV9115T.215, Транзистор: PNP, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PBHV9115T.215

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2081163

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.01

Base Product Number

PBHV9115 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

115MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

150V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-300 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3мм

Maximum Collector Base Voltage

-200 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

150 В

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

1 A

Height

1.1мм

Pin Count

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1mm

Maximum Emitter Base Voltage

-6 V

Minimum DC Current Gain

100

Максимальное напряжение коллектор-база

-200 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

200 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

150 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Другие названия товара №

PBHV9115T T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

115 MHz

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

60 mV

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1.2 V

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1,2 В

Техническая документация

Datasheet PBHV9115T,215 , pdf , 235 КБ
Datasheet PBHV9115T,215 , pdf , 118 КБ
Datasheet , pdf , 232 КБ

PBHV9115T.215, Транзистор: PNP - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация