ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
P8008HV, МОП-транзистор, 2xN-канала 80В 4А 1.9Вт [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Niko Semiconductor
P8008HV, МОП-транзистор, 2xN-канала 80В 4А 1.9Вт [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
P8008HV, МОП-транзистор, 2xN-канала 80В 4А 1.9Вт [SO-8]
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Niko Semiconductor
Артикул
P8008HV
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785778
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.08 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.9
Корпус
soic-8
Техническая документация
128532488574289_103 , pdf
, 198 КБ