ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NXV65HR82DS2, МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 650 В, 0.073 Ом, 10 В, 5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NXV65HR82DS2, МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 650 В, 0.073 Ом, 10 В, 5…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NXV65HR82DS2, МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 650 В, 0.073 Ом, 10 В, 5 В
Последняя цена
4350 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NXV65HR82DS2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324797
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Рассеиваемая Мощность
126Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
26А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.073Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5В
Вес, г
500
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 729 КБ