ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NXV04V120DB1, МОП-транзистор, AEC-Q101, Шесть N Каналов, 160 А, 40 В, 850 мкОм, 10 В, 4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
NXV04V120DB1, МОП-транзистор, AEC-Q101, Шесть N Каналов, 160 А, 40 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NXV04V120DB1, МОП-транзистор, AEC-Q101, Шесть N Каналов, 160 А, 40 В, 850 мкОм, 10 В, 4 В
Последняя цена
2210 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
NXV04V120DB1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1324795
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Полярность Транзистора
Шесть N Каналов
Напряжение Истока-стока Vds
40В
Непрерывный Ток Стока
160А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
850мкОм
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Вес, г
2