NX3020NAKW.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 110мА, 300мВт, SOT323, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

• Очень быстрое переключение
• Технология Trench MOSFET
• Защита от электростатического разряда
• Низкое пороговое напряжение
• От -55 до 150 ° C Диапазон температур перехода

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

NX3020NAKW.115

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2164735

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Вес, г

0.01

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Nexperia

Id - непрерывный ток утечки

180 mA

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-323-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

NX3020 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, + 10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

180mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta), 1.1W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Qg - заряд затвора

0.34 nC

Время нарастания

5 ns

Время спада

17 ns

Типичное время задержки выключения

34 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Другие названия товара №

934067071115

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

180mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

260mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet NX3020NAKW,115 , pdf , 713 КБ
Datasheet NX3020NAKW,115 , pdf , 253 КБ
Datasheet NX3020NAKW.115 , pdf , 712 КБ

NX3020NAKW.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 110мА, 300мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация