ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NVTR4502PT1G, Транзистор MOSFET P-CH 30V 1.95A [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NVTR4502PT1G, Транзистор MOSFET P-CH 30V 1.95A [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NVTR4502PT1G, Транзистор MOSFET P-CH 30V 1.95A [SOT-23-3]
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Описание
P-канал 30V 1.13A (Ta) 400 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NVTR4502PT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785201
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
400мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
-1.13А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.155Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-3В
Вес, г
0.05
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Техническая документация
NVTR4502PT1G , pdf
, 131 КБ
Datasheet NVTR4502PT1G , pdf
, 194 КБ
Datasheet , pdf
, 95 КБ