NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NVF3055L108T1G

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1324587

Технические параметры

Вес, г

0.1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.7mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

SOT-223

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.65мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Число контактов

3 + Tab

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одиночный

Package Type

SOT-223

Width

3.7мм

Pin Count

3 + Tab

Длина

6.7мм

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

NVF3055 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1.5A, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±15V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Maximum Drain Source Resistance

120 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

7.6 nC @ 5 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-15 V, +15 V

Типичный заряд затвора при Vgs

7,6 нКл при 5 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 212 КБ

NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация