NVBG080N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 30 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, TO-263HV (D2PAK), ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ONSEMI

Артикул

NVBG080N120SC1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1324572

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263HV (D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

179Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

30А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.08Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

20В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

3.4

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

MOSFET Configuration

Single

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

NVBG080N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 30 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, TO-263HV (D2PAK) - характеристики, поставщики