ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTZD5110NT1G, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 294 мА, 1.19 Ом, SOT-563, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTZD5110NT1G, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 294 мА, 1.19 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
NTZD5110NT1G, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 294 мА, 1.19 Ом, SOT-563, Surface Mount
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Описание
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60 В 294 мА 250 мВт для поверхностного монтажа SOT-563
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTZD5110NT1G
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2092458
Технические параметры
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-563
Вес, г
0.01
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Полярность транзистора
N Канал
Transistor Mounting
Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
294мА
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.19Ом
Техническая документация
Datasheet NTZD5110NT1G , pdf
, 64 КБ
Datasheet NTZD5110NT1G , pdf
, 193 КБ