NTS4409NT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 750мА, 280мВт, SC70, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 41 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 25 В, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTS4409NT1G

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1324395

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.04

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

1.24 mm

Height

0.9mm

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-23

Width

1.35mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

NTS4409N

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor

Длина

2.1 mm

Высота

0.85 mm

Id - непрерывный ток утечки

750 mA

Pd - рассеивание мощности

330 mW (1/3 W)

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SC-70-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

NTS4409 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

350 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

650 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

700mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

280mW (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

700 mA

Maximum Power Dissipation

330 mW

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

1.2 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Qg - заряд затвора

1.2 nC

Время нарастания

8.2 ns

Время спада

41 ns

Типичное время задержки выключения

23 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

1.2 нКл при 4.5 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

700mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

280mW(Tj)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 184 КБ
Datasheet , pdf , 128 КБ
Datasheet NTS4409NT1G , pdf , 119 КБ

NTS4409NT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 750мА, 280мВт, SC70 - характеристики, поставщики

Последняя цена 41 руб.

Техническая документация