ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTR5103NT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTR5103NT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTR5103NT1G, Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Последняя цена
2.2 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 60 В 260 мА (Ta) 300 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTR5103NT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2412344
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Высота
1.01мм
Length
3.04mm
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Base Product Number
NTR5103 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
260mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.81nC @ 5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250ВµA
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.9V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Height
1.01mm
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Минимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Forward Diode Voltage
1.2V
Техническая документация
Datasheet NTR5103NT1G , pdf
, 184 КБ
Datasheet NTR5103NT1G , pdf
, 129 КБ